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先前研究显示，年中由于量子限域效应和边缘效应宽度小于10nm的GNR全部为半导体性，特别是当GNR宽度低于5nm时其可具有较大的带隙。国光这两种CNT样品主要包含单壁和双壁CNT。
加压和减压过程中样品的原位拉曼表征 （来源：通信NatureElectronics）随着压力的增加，通信116cm-1处来自直径约为2.1 nm CNT的径向呼吸峰（RBM峰）逐渐蓝移并且峰值强度降低（上图b，左），表明高压下CNT中发生了径向结构转变，从而改变了样品的亚带能隙。器件的场效应迁移率可达2443cm2 V-1 s-1，发展开态沟道电导率为7.42mS。电学研究结果表明，争力这种方法制备的GNR具有高的材料质量，其高的迁移率和大的带隙可满足集成电路应用的需要。
而且，论坛G峰的偏移率在4.0GPa附近发生变化。大奖通过使用透射电子电镜（TEM）和扫描透射电子显微镜(STEM)研究人员可以清晰地区分CNT和被压扁的GNR。
榜首下图d中的边缘打开的GNR的宽度为3.3±0.3nm。
荣居相关研究结果近日被发表在NatureElectronics期刊上（NatureElectronics,2021, 4:653-663）。全景模式：年中即电视模式，用户可以通过LGOLEDR1观看影视内容。
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